在晶体加工过程中，随着硅单晶尺寸的减小，多线切割技术于是以被普遍应用于晶体切割成工序。线切割会明显改善翘曲，但是切割成时硅的损耗明显增大，同时受损深度增大。这更进一步对系统到先前工艺，增大了颗粒产生、瓦解受损引发的晶格构成、硅片裂痕等可能性[5]。硅切片的受损层深度必要不受晶体切割成工艺影响，并影响着先前的晶片研磨工序的除去量。

此外，切片的几何参数[如弯曲度(TTV)、翘曲度(Warp)和平整度(Bow)]也间接影响着研磨工序的除去量。因此，本文从减少切片受损层深度、掌控切片几何参数精度两方面临多线切割工艺展开研究。　　1、试验　　1.1样品　　直径：151mm0.2mm；长度：260mm10mm；导电类型：P型；电阻率：8～13cm。　　1.2工艺流程　　经断头尾、单晶滚圆工序后，获得合乎多线切割机加工拒绝的硅单晶，经定向粘接、多线切割、脱胶、清除等工艺过程取得厚度为780m20m的硅切割片，对硅切割片的参数展开测试，通过倒角、磨片等工序展开检验。

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