尽管氮化镓（GaN）基LED在景观灯光、室内灯光、道路灯光、背光源等应用领域早已成熟期，Mini／MicroLED高清表明的应用领域也正在培育，并呈现出了迅猛发展的势头。然而，经过二十多年的发展，业界仍然尤为注目的核心依旧是LED光效与成本。

上游衬底材料是直接影响着中下游外延、芯片和PCB器件性能的关键。纵观全球GaN基LED材料体系，目前早已用于的衬底材料还包括蓝宝石、碳化硅（SiC）、硅（Si）和GaN。其中，SiC衬底及技术被美国Cree公司所独占；由南昌大学江风益教授发明者的Si基LED技术荣获2015年国家技术发明者一等奖，但因量产工艺成熟度等因素，业界对Si衬底仍维持从容态度；GaN衬底堪称因技术成熟度和成本因素，目前仅有应用于在高端激光与功率器件等领域。

由于SiC、Si、GaN等衬底技术路线皆具有其成熟度、成本等因素制约而无法在短期内批量应用于，而全球蓝宝石衬底产业规模已十分可观，厂家无法在短期内展开材料体系的更新换代，多种原因要求了在一个较长的时期内没其他材料能必要替代蓝宝石衬底在LED行业的应用于。基于提高企业综合竞争力的考虑到，2018年澳洋顺昌又正式成立蓝宝石衬底切磨抛项目部，通过重新组建技术团队、完善工艺／设备／生产／品质的管控体系、研发托／篦／抛整套制程工艺，为企业个性化产品的研发和生产减少了有可能。

经过一年多与PSS、外延和芯片端的工艺窗口调教与给定，大大优化平片的Bow／Warp／TTV／LTV等指标参数，月底2019年年初构建批量化生产。在平稳量产的基础上，澳洋顺昌研发出有一套统一面型的切磨抛工艺技术，大幅提高了公司蓝宝石衬底在PSS和外延端的良率水平，同时，LED外延片的波长命中率与一致性、芯片主BIN良率、光效、以及成本掌控等方面皆超过业内较好水平。澳洋顺昌研发的蓝宝石衬底“碗状”面型产于在7mm×7mm面积内的LTV值＜0.5um目前澳洋顺昌已牵涉到切磨抛蓝宝石衬底、PSS、外延和LED芯片整条产业链，通过对产业链上下游横向统合，有效地提高了整个LED制程环节的兼容度，从而明显提高LED性能的同时减少生产成本，提高了企业的综合竞争力。

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